1.本发明涉及电容器用电极箔制造技术领域，种检更具体地，测低层缺涉及一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的压电方法。
背景技术：
2.铝电解电容器是极箔广泛应用于电子电器行业的一种储能元件，而铝电解电容器用阳极箔是腐蚀方法其重要的原材料。低压阳极箔的流程生产工艺一般为：铝箔
→
前处理
→
腐蚀处理
→
后处理
→
化成处理
→
得到低压阳极箔。前处理是种检除去铝箔表面油污、氧化膜及杂质，测低层缺改善表面状态；腐蚀处理是压电通过电化学腐蚀在铝箔表面形成具有一定孔径和深度的隧道孔，使铝箔扩大表面积，极箔获得高比容；后处理是腐蚀方法对经腐蚀之后的铝箔进行清洗、表面状态转化；化成处理是流程利用多级电源赋能在铝箔表面形成氧化膜。
3.高比容量是种检判断低压阳极箔高性能的重要标准，为了提高比容，测低层缺一般采用增加重损的压电方法。然而，重损过多，容易导致腐蚀层会有一些缺陷。
4.由于低压阳极箔的腐蚀过程使用了交流电，产生的蚀孔为海绵状的，且蚀孔孔径都比较小，只有100-200nm，即便是高倍率的扫描电子显微镜(sem)也很难看清腐蚀层的形貌，更难以看到蚀孔内的缺陷。而蚀孔内的缺陷在后段使用的时候出现表层脱落、箔脆等情况，对后续工序造成不良影响。
5.现有技术公开了一种阳性腐蚀箔微穿孔缺陷超声导波检测方法，其通过将待检测的阳极铝箔通过超声导波进行扫查获取超声导波实际信号值，计算其实际的检测波谱峰值比并将其代入到回归关系中，得到最终的缺陷检测结果。然而，其针对的是阳极腐蚀箔穿孔问题的解决，并未针对腐蚀层的缺陷检测给出相关改善。
6.因此，确有必要提供一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，能够在制备得到腐蚀箔之后能够尽快检测出低压电极箔腐蚀层的缺陷，并对生产线检查及调整。
技术实现要素：
7.本发明要解决的技术问题是克服现有低压阳极箔腐蚀层缺陷不能尽快检测、无法尽快对生产线进行检查和调整的缺陷和不足，提供一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，通过对腐蚀箔化成，并在化成过程中使用反向加电，对腐蚀层进行破坏，化成结束后对箔片进行物理切割，检测箔片破坏情况，在腐蚀箔生产出来后可以尽快检测出腐蚀层是否会有缺陷，从而能够及时检查和调整生产线，防止出现大批量具有腐蚀层缺陷的低压阳极箔。
8.本发明上述目的通过以下技术方案实现：
9.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
10.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的四分之一到二分之一；
11.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极
板接电源正极，施加直流电处理；
12.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
13.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
14.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
15.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
16.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
17.其中，缺陷指的是：腐蚀层某些位置孔与孔之间孔壁变薄、某些位置孔突然变大或者变小等状况。
18.本发明的低压腐蚀箔生产出来后对其进行化成，在化成过程中使用反向加电，当腐蚀层某些位置孔与孔之间孔壁变薄有缺陷时，大量h
+
会侵入到孔壁内部，被还原成氢气泡，后续热处理时氢气泡破裂，使得孔壁遭到破坏，孔壁破坏后会造成腐蚀层脱层、箔脆的现象发生。因此，本发明通过反向加电对低压腐蚀箔的腐蚀层进行破坏，使得有缺陷的部位能够及早的暴露出来，化成结束后对箔片进行物理切割，检测箔片破坏情况，即可判断腐蚀层是否存在缺陷。
19.优选地，s2中，电流密度为0.2-0.6a/cm2。
20.电流密度较小，对腐蚀层造成的缺陷在后续测试中无法检测出来。电流密度较大，也会对没有缺陷的正常部位也造成一定的缺陷，容易造成误判。
21.更优选地，s2中，电流密度为0.3-0.5a/cm2。
22.更进一步优选地，s2中，电流密度为0.4a/cm2。
23.优选地，s2中，加电时间为0.5～5min。
24.s2中，加电时间较短，对腐蚀层的缺陷破坏程度有限，较难判断腐蚀层是否存在缺陷；加电时间较长，会使得没有缺陷的腐蚀层也遭到破坏，较难判断腐蚀层是否存在缺陷。
25.更优选地，s2中，加电时间为0.5～3min。
26.进一步优选地，s2中，加电时间为1～2min。
27.更进一步优选地，s2中，加电时间为1min。
28.优选地，s2中，己二酸铵溶液的温度为5-40℃。
29.本发明通过反向加电使得腐蚀层中的缺陷及早暴露出来，宏观上表现为脱层现象。其中，己二酸铵溶液作为导体，溶液温度为常温即可。
30.更优选地，s2中，己二酸铵溶液的温度为10-30℃。
31.更进一步优选地，s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃。
32.在实际应用中，s1、s3和s5中，己二酸铵溶液的温度、浓度、电流密度和持压时间可以为本领域常规的温度、浓度、电流密度和持压时间，例如己二酸铵溶液的温度可以为60-80℃，浓度可以为5-15wt％，电流密度可以为0.1-0.3a/cm2，持压时间可以为2-4min。
33.在实际应用中，s4中，热处理温度可以为本领域常用的温度和时间，热处理温度可以为450-500℃，热处理时间可以为1-3min。
34.在实际应用中，s6的烘干温度可以使用本领域常规的烘干温度，例如s6中，烘干温
度可以为100-150℃，烘干时间可以为2-4min。
35.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
36.本发明公开了一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，通过对腐蚀箔化成，并在化成过程中使用反向加电，对腐蚀层进行破坏，化成结束后对箔片进行物理切割，检测箔片破坏情况，在腐蚀箔生产出来后可以尽快检测出腐蚀层是否会有缺陷，并对生产线进行检查和调整。
附图说明
37.图1为实施例1中的低压电极箔被切割处无脱层现象的表面图，判定低压电极箔腐蚀层无缺陷。
38.图2为实施例1中的低压电极箔被切割处有脱层现象的表面图，判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
39.图3为实施例1中的低压电极箔被切割处无脱层现象的截面图，判定低压电极箔腐蚀层无缺陷。
40.图4为实施例1中的低压电极箔被切割处有脱层现象的截面图，判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
具体实施方式
41.下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明，但实施例并不对本发明做任何形式的限定。除非另有说明，本发明实施例采用的原料试剂为常规购买的原料试剂。
42.实施例1
43.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
44.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
45.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
46.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
47.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
48.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
49.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
50.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
51.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
52.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
53.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为1min；
54.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
55.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
56.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
57.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
58.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
59.实施例2
60.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
61.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
62.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
63.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
64.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
65.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
66.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
67.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
68.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
69.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
70.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.2a/cm2，加电时间为1min；
71.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
72.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
73.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
74.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
75.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
76.与实施例1不同的是：
77.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.2a/cm2，加电时间为1min。
78.实施例3
79.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
80.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源
负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
81.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
82.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
83.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
84.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
85.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
86.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
87.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
88.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
89.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.6a/cm2，加电时间为1min；
90.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
91.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
92.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
93.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
94.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
95.与实施例1不同的是：
96.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.6a/cm2，加电时间为1min。
97.实施例4
98.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
99.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
100.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
101.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
102.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
103.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
104.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
105.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有
缺陷。
106.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
107.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
108.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为0.5min；
109.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
110.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
111.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
112.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
113.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
114.与实施例1不同的是：
115.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为0.5min。
116.实施例5
117.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
118.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
119.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
120.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
121.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
122.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
123.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
124.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
125.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
126.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
127.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为5min；
128.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
129.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
130.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时
间为3min，升压到30vf；
131.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
132.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
133.与实施例1不同的是：
134.s2中，己二酸铵溶液的温度为15℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为5min。
135.实施例6
136.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
137.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
138.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
139.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
140.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
141.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
142.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
143.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
144.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
145.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
146.s2中，己二酸铵溶液的温度为5℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为1min；
147.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
148.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
149.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
150.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
151.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
152.与实施例1不同的是：
153.s2中，己二酸铵溶液的温度为5℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为1min。
154.实施例7
155.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
156.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
157.s2.反向加电：将经过一级化成的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；
158.s3.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
159.s4.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
160.s5.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
161.s6.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
162.s7.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
163.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
164.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
165.s2中，己二酸铵溶液的温度为40℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为1min；
166.s3中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
167.s4中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
168.s5中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
169.s6中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
170.s7中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
171.与实施例1不同的是：
172.s2中，己二酸铵溶液的温度为40℃，浓度为8wt％，电流密度为0.4a/cm2，加电时间为1min。
173.其余与实施例1相同，这里不再赘述。
174.对比例1
175.一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：
176.s1.一级化成：将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压的三分之一；
177.s2.二级化成：将经过反向加电的箔片置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
178.s3.热处理：将经过二级化成的箔片热处理；
179.s4.三级化成：将经过热处理的箔片温度置于己二酸铵溶液中，箔片接电源正极，极板接电源负极，施加直流电，升压到最终电压；
180.s5.烘干：烘干经过三级化成的箔片；
181.s6.裁切：切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
182.其中，低压腐蚀箔厚度122μm，21vf比容为130μf/cm2。
183.s1中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到10vf；
184.s2中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
185.s3中，热处理温度为480℃，热处理时间为2min。
186.s4中，己二酸铵溶液的温度为70℃，浓度为8wt％，电流密度为0.15a/cm2，持压时间为3min，升压到30vf；
187.s5中，烘干温度为100℃，烘干时间为3min。
188.s6中，裁切为用刀片沿着垂直于箔片压延纹的方向切割。
189.与实施例1不同的是：
190.不包括s2反向加电。
191.结果检测
192.(1)用金相显微镜观察箔片被切割的部位的脱层现象：
193.脱层等级：
194.从图1可以看出，观察箔片被切割处，没有脱层现象，即判定低压电极箔腐
195.从图2可以看出，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。
196.通过脱层部位边缘与切割部位的距离h判断脱层等级，具体如下表1所示。
197.表1
[0198][0199]
其中按照脱层严重程度为0级《1级《2级《3级《4级《5级，脱层为5级则为严重脱层。脱层部位边缘与切割部位的距离h≤0.1mm，脱层等级为0级，认为几乎没有出现脱层现象，判定腐蚀层没有缺陷。
[0200]
(2)用sei观察箔片被切割部分。
[0201]
从图3可以看出，箔片被切割处。如出现此种现象，可以判定该低压电极箔腐蚀层没有缺陷。
[0202]
从图4可以看出，箔片被切割处发生脱层。如出现此种现象，可以判定该低压电极箔腐蚀层有缺陷。
[0203]
具体检测结果如下表3所述：
[0204][0205][0206]
从上述数据可以看出，本发明的检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，通过在一级化成和二级化成之间增加反向加电步骤，对腐蚀层进行破坏，化成结束后对箔片进行物理切割，检测箔片破坏情况，在腐蚀箔生产出来后可以尽快检测出腐蚀层是否会有缺陷。
[0207]
从对比例1可以看出，取消s2反向加电步骤，低压电极箔腐蚀层脱层等级为0级，认为几乎没有出现脱层现象，判定腐蚀层没有缺陷。
[0208]
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。